حافظه اس اس دی (اینترنال)

اس اس دی پاتریوت P300 M.2 2280 NVMe PCIe 2TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

ابعاد

80×22×38 میلی‌متر

وزن

فرم ظاهری

2280

ظرفیت

2 ترابایت

خنک‌کننده

ندارد

کنترلر

latest PCIe 3 x 4

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 3.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 2100 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 1650 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن تصادفی 4K

290K IOPs

سرعت نوشتن تصادفی 4K

260K IOPs

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

ندارد

سایر ویژگی‌ها

دارای تکنولوژی SmartECC و Thermal throttling

اس اس دی پاتریوت Patriot P220 SATA III 2.5inch 128GB

ناموجود

سازنده

گارانتی

ابعاد

80×133×178 میلی‌متر

وزن

فرم ظاهری

2.5‌اینچ

ظرفیت

128 گیگابایت

درگاه اتصال

SATA 3.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 550 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 500 مگابایت بر ثانیه

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

اس اس دی سامسونگ 970EVO PLUS 250GB

ناموجود

سازنده

گارانتی

,

ابعاد

2.2×22×80.2 میلی‌متر

وزن

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

250 گیگابایت

نوع فلش

V-NAND

کنترلر

in-house Controller

درگاه اتصال

M.2

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 3500 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 2300 مگابایت بر ثانیه

مقاومت در برابر شوک

دارد

بیشترین میزان مقاومت

در برابر شوک: 1500G

طول عمر

1.500.000 ساعت

توان مصرفی TDP

اس اس دی سامسونگ 970Evo Plus M.2 2280 NVMe 2TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

ابعاد

80.15×22.15×2.38 میلی‌متر

وزن

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

2 ترابایت

خنک‌کننده

ندارد

نوع فلش

V-NAND

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 3.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 3500 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 3300 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن تصادفی 4K

62,000 IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

19,000 IOPS

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

طول عمر

1,500,000 ساعت

اس اس دی سامسونگ 980M.2 2280 NVMe 1TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

ابعاد

80.15×22.15×2.38 میلی‌متر

وزن

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

1 ترابایت

نوع فلش

V-NAND

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 3.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 3100 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 2600 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن تصادفی 4K

400,000IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

470,000IOPS

بیشترین میزان مقاومت

در برابر شوک 1500G

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

طول عمر

1.500.000 ساعت

اس اس دی سامسونگ 980M.2 2280 NVMe 500GB

ناموجود

سازنده

گارانتی

ابعاد

80.15×22.15×2.38 میلی‌متر

وزن

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

500 گیگابایت

نوع فلش

V-NAND

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 3.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 3100 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 2600 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن تصادفی 4K

400,000IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

470,000IOPS

بیشترین میزان مقاومت

در برابر شوک 1500G

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

طول عمر

1.500.000 ساعت

اس اس دی سامسونگ 980PRO PCIE GEN4 NVME M.2 2TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

2 ترابایت

نوع فلش

MLC,V

,

V-NAND

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 4.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 7000 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 5000 مگابایت بر ثانیه

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

سرعت خواندن تصادفی 4K

1,000,000 IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

1.000.000 IOPS

اس اس دی سامسونگ 990EVO M.2 2280 NVME 1TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

وزن

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

1 ترابایت

خنک‌کننده

هیت‌سینک

نوع فلش

V-NAND

کنترلر

in-house Controller

نوع چیپست Cache

HMB(Host Memory Buffer)

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 5.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 5000 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 4200 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن تصادفی 4K

680,000 IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

800,000 IOPS

مقاومت در برابر شوک

دارد

بیشترین میزان مقاومت

در برابر شوک: 1500G

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

اس اس دی سامسونگ 990EVO M.2 2280 NVME 2TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

وزن

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

2 ترابایت

خنک‌کننده

هیت‌سینک

نوع فلش

V-NAND

کنترلر

in-house Controller

نوع چیپست Cache

HMB(Host Memory Buffer)

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 5.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 5000 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 4200 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن تصادفی 4K

680,000 IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

800,000 IOPS

مقاومت در برابر شوک

دارد

بیشترین میزان مقاومت

در برابر شوک: 1500G

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

اس اس دی سامسونگ 990PRO PCIE GEN4 NVME M.2 4TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

4 ترابایت

نوع فلش

V-NAND

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 4.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 7450 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 6900 مگابایت بر ثانیه

مقاومت در برابر شوک

دارد

بیشترین میزان مقاومت

در برابر شوک: 1500G

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد