نمایش 229–240 از 1925 نتیجه

کیس و قطعات داخل کیس

اس اس دی سامسونگ 980M.2 2280 NVMe 500GB

ناموجود

سازنده

گارانتی

ابعاد

80.15×22.15×2.38 میلی‌متر

وزن

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

500 گیگابایت

نوع فلش

V-NAND

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 3.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 3100 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 2600 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن تصادفی 4K

400,000IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

470,000IOPS

بیشترین میزان مقاومت

در برابر شوک 1500G

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

طول عمر

1.500.000 ساعت

اس اس دی سامسونگ 980PRO PCIE GEN4 NVME M.2 2TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

2 ترابایت

نوع فلش

MLC,V

,

V-NAND

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 4.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 7000 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 5000 مگابایت بر ثانیه

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

سرعت خواندن تصادفی 4K

1,000,000 IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

1.000.000 IOPS

اس اس دی سامسونگ 990EVO M.2 2280 NVME 1TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

وزن

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

1 ترابایت

خنک‌کننده

هیت‌سینک

نوع فلش

V-NAND

کنترلر

in-house Controller

نوع چیپست Cache

HMB(Host Memory Buffer)

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 5.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 5000 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 4200 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن تصادفی 4K

680,000 IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

800,000 IOPS

مقاومت در برابر شوک

دارد

بیشترین میزان مقاومت

در برابر شوک: 1500G

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

اس اس دی سامسونگ 990EVO M.2 2280 NVME 2TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

وزن

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

2 ترابایت

خنک‌کننده

هیت‌سینک

نوع فلش

V-NAND

کنترلر

in-house Controller

نوع چیپست Cache

HMB(Host Memory Buffer)

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 5.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 5000 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 4200 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن تصادفی 4K

680,000 IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

800,000 IOPS

مقاومت در برابر شوک

دارد

بیشترین میزان مقاومت

در برابر شوک: 1500G

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

اس اس دی سامسونگ 990PRO PCIE GEN4 NVME M.2 4TB

ناموجود

سازنده

گارانتی

فرم ظاهری اس اس دی

2280

ظرفیت

4 ترابایت

نوع فلش

V-NAND

درگاه اتصال

M.2

رابط حافظه در حالت M2.0

PCIe Mode

نسل PCIe

نسل 4.0

سرعت خواندن ترتیبی

حداکثر تا 7450 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

حداکثر تا 6900 مگابایت بر ثانیه

مقاومت در برابر شوک

دارد

بیشترین میزان مقاومت

در برابر شوک: 1500G

پشتیبانی از NVMe

دارد

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

اس اس دی سامسونگ EVO 870 500GB

ناموجود

سازنده

گارانتی

ظرفیت

500 گیگابایت

فرم ظاهری اس اس دی

2.5 اینچ

رابط

(SATA III (6Gb/s

پشتیبانی از S.M.A.R.T

دارد

پشتیبانی از فرمان TRIM

دارد

حافظه کش

512 مگابایت

درگاه اتصال

SATA

کنترلر

Samsung MKX Controller

طول عمر

1,500,000 ساعت

نوع فلش

MLC

مقاومت در برابر شوک

دارد

سرعت نوشتن ترتیبی

530 مگابایت بر ثانیه

سرعت خواندن

وزن

ابعاد

6.8 × 70 × 100 میلی متر