اس اس دی گیگابایت AORUS Gen4 M.2 2280 NVMe 500GB

اس اس دی گیگابایت AORUS Gen4 M.2 2280 NVMe 500GB بر اساس رابط جدید و پرسرعت PCIe 4.0 x4 و پروتکل NVMe 1.3 توسعه یافته است. شرکت گیگابایت در ساخت این درایو از دو تراشه حافظه فلش 3D TLC NAND از شرکت توشیبا با ظرفیت کلی 500 گیگابایت استفاده کرده است. حافظه فلش NAND سه لایه‌ای و سه بعدی دارای قابلیت ذخیره سه بیت داده در هر یک از 96 سلول تراشه حافظه را دارد و این، یعنی ظرفیت و دوام بیشتر تراشه حافظه. به کارگیری این دو تراشه حافظه در کنار کنترلر PS5016-E16 از شرکت Phison و 512 گیگابایت حافظه کش DDR4، به این درایو امکان دستیابی به سرعت خواندن ترتیبی تا 5000 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی تا 2500 مگابایت بر ثانیه را می‌دهد. همچنین سرعت خواندن و نوشتن تصادفی آن نیز به ترتیب برابر 400,000 و 550,000 دستور ورودی/خروجی بر ثانیه (IOPS) است. فرم ظاهری اس اس دی گیگابایت AORUS Gen4 M.2 2280 NVMe 500GB از نوع M.2 2280 بوده و ابعاد آن نیز (طول، عرض، ضخامت) برابر 80.5 در 23.5 در 11.25 میلی‌متر است. شرکت گیگابایت عمر مفید این درایو را تا 1,770,000 ساعت، یا تا 850 TBW (ترابایت داده نوشته شده؛ حجم کلی داده قابل ذخیره روی اس اس دی پیش از خرابی آن) تخمین زده است.هیت سینک مسی درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB و دو پد حرارتی با قابلیت رسانایی بالا، حرارت را از هر دو طرف دستگاه، کنترلر و تراشه‌های فلش NAND دریافت می‌کند. این هیت سینک تمام مسی نسبت به هیت سینک‌های آلومینیومی، 69 درصد ظرفیت تبادل حرارتی بیشتری دارد و با دفع بیشرین حرارت ممکن از درایو اس اس دی AORUS Gen4 500GB، به این دستگاه اجازه می‌دهد تا حداکثر کارایی خود را به نمایش بگذارد.